羽杰科技MLJ-2508D是一款专为半导体及精密电子行业研发的高效光刻胶清洗剂，采用创新配方与技术，适用于正负光刻胶的快速剥离与残留物清除。其核心成分融合PGMEA（丙二醇甲醚醋酸酯）、饱和环醚及高分子螯合剂，结合氮杂冠醚添加剂，显著提升清洗效率与工艺兼容性，助力晶圆制造与微电子加工的精细化生产。

核心优势与参数解析

1. 超强清洗效率 

   清洗时间缩短至≤3分钟，光刻胶去除率达99.8%以上，显著提升产线效率。

2. 广谱兼容性

   支持正胶与负胶双重清洗需求，适配ArF、KrF、i线等多种光刻工艺，覆盖半导体、显示面板等领域。

3. 低温高效配方

   在30℃~50℃低温环境下即可激活反应，减少能耗并避免高温对基材的热损伤，节能率达40%。

4. 环保低毒设计 

   采用无卤素、低VOC配方，符合欧盟RoHS及REACH标准，废水处理成本降低50%，支持循环回用技术。

5. 精准残留控制  

   金属离子残留量＜1ppb，颗粒污染物控制至≤0.1μm，满足高端制程的洁净度要求。

6. 材料兼容性卓越  

   对硅片、金属层（Cu/Al）、氧化物等基材无腐蚀，表面粗糙度变化＜0.2nm，保障器件可靠性。

7. 智能化操作支持  

    可与自动化清洗设备无缝集成，支持pH实时监控（范围2.5~5.5）与流量调节，降低人工干预需求。

8. 长周期稳定性 

    溶液寿命长达6个月，开封后有效期30天，减少频繁更换成本。

9. 适用于高洁净度车间环境。

10. 综合成本优势 

    相比传统清洗剂，用量减少30%，综合处理成本降低60%，助力企业实现降本增效。

技术参数一览表 

| 参数项            | 数值/特性                                |  

| 主要成分         | PGMEA、四氢呋喃、氮杂冠醚 |  

| pH值范围        | 2.5~5.5（可调）                     |  

| 适用温度          | 30℃~50℃                             |  

| 清洗时间          | ≤3分钟                                   |  

| 残留颗粒尺寸   | ≤0.1μm                                  |  

| 金属离子残留   | ＜1ppb                                   |  

| 包装规格          | 20L/桶（定制化供应）             |  

| 储存条件          | 阴凉避光，5℃~25℃                |  

应用场景与客户价值

MLJ-2508D广泛应用于晶圆制造、MEMS器件封装、光学元件加工等领域，帮助客户：  

提升良品率至98%+，缩短生产周期；  

减少废水处理压力，实现70%中水回用率；  

通过ISO 14001环保认证，增强企业绿色形象。

羽杰科技承诺

以“质量铸精品，服务赢客户”为宗旨，提供24小时技术支持与定制化解决方案，助力客户迈向智能化、绿色化制造未来。  

（注：部分参数参考行业通用标准与实验数据，具体以实际产品手册为准。）  

本文标题：羽杰科技光刻胶清洗剂MLJ-2508D：精准高效，赋能半导体制造新标准

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